收藏本站
Si3473DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.08
0.06
0.04
V GS = 1.8 V
25 °C, unless otherwise noted
3000
2500
2000
1500
C iss
0.02
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1000
500
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
3
6
9
12
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 6 V
I D = 7.9 A
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 7.9 A
4
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0
0.6
0
4
8
12
16
20
24
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 7.9 A
I D = 3 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain-Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71937
S09-2277-Rev. D, 02-Nov-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI3483DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP
SI3495DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3529DV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
SI3812DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
SI3853DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
SI3867DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
SI3905DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP
SI3909DV-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
相关代理商/技术参数
SI3475DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI3475DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3475DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3476DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V D-S TSOP-6
SI3477DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET
SI3477DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si3480-A01-GM 功能描述:热插拔功率分布 8-port Pwr Manager Si3452/3PSE Prt Ctrl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Controllers & Switches 电流限制: 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 0.3 V 工作温度范围: 功率耗散: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Tube
SI3480-A01-GMR 功能描述:电源开关 IC - POE / LAN 8-port Power Manager RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关数量:Single 开关配置:SPST 开启电阻（最大值）:7.3 Ohms 串话: 带宽: 开启时间（最大值）:13 ns 关闭时间（最大值）:20 ns 切换电压（最大）: 工作电源电压:8 V to 26 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220F-6